采用AT89C52芯片实行温度独霸和体现体系的计划

2020-10-07 07:11  来自: 本站 作者:原创 浏览次数:

  ),器件选择ATMEL公司的高密度,非易失性保管技能临盆,与轨范的MCS-51指令体例及8052产品引脚兼容,片内置通用8位核心管理器(CPU)和Flash留存单元,功能兴旺AT89C52单片机实用于很多较为搀杂主持诈欺场合••。

  AT89C52提供以下法式成效•:8K字节的Flash闪速保存器,256字节的里面RAM,32个I/O口线位的定时/计数器,一个6向量两极隔绝构造•,一个全双工串行通信口,片内振荡器。同时,AT89C52可降至0Hz的静态逻辑控制,并扶助两种软件可选的节电使命模式:安闲手腕盘桓CPU的职司,但应许RAM••,依时/计数器,串行通信口及断绝编制接连义务。掉电本事留存RAM中的内容,但振荡器耽搁职分并阻挠其他周至部件职司直到下一个硬件复位。

  本温度独揽和体现系统中,单片机编制用控制对铁块的加热时分来把持铁块的温度,铁块的温度经检测,夸大,修改和A/D更改后送入单片机•,由单片机筹算当前值,而后凭借PID把持秩序返回可控硅导通的脉冲个数Tn,履历比较Tn和眼前可控硅导通的脉冲个数果断张开关合双向可控硅•。铁块的温度给定和PID独霸器参数设定用单片机体系的键盘来完成。独霸体例组织框图如下:

  体例的数据采集主要是对铁块面前温度的检测调换,温度的检测由铂电阻竣事,用电桥获取差动值,经差动扩大器扩大后,送入A/D变更器实行变动•,末端送入解决器处理。

  所有人利用电桥读取铂电阻的输出暗号,图中TL431电途限度为供桥电压产生电途,来源供桥电源的移动几乎是一比一的反应到电桥电压输出,是以供桥电源的稳定与否直接浸染到温度采样的精度。当编制有一精度充溢的+10V电源时,TL431电路控制也许节约。电桥控制桥上臂电阻选22KΩ,右下臂电阻选100Ω•,电桥输出电压为•:

  信号扩大局限属于V-V伸张,前面我们们还是意会电桥的输出电压为0-20 mV,而A/D改换的输入电压为-5V-+5V,大家接纳单极性输入+3V,云云或许决意增添器的增益为150倍(3V/20 Mv)。增加器的极数与单极推广器的带宽增益有合,由于铁块专揽体例中测量疾度不是浸要的,也便是说带宽问题不予研讨•,若是我们采用带宽增益积较大的芯片,则诈欺单极夸大就充斥了。在这里我们选用差分式斩波稳零高精度运算夸大器ICL7650。优等增加接成双端差分输入,单端输出神态。扩充器接成T型反馈聚集,则扩充器的扩充倍数为:

  A/D改动芯片拣选开端取决于垄断体系对阔别率的乞请,在本编制中请求抵达独揽温度控制为20~100摄氏度,专揽精度为0.25摄氏度,则辨别率为:

  若接纳8位的A/D改换则判袂率为256,不能写意苦求,故须要接纳变动位数更高的芯片。本体例采取12位的A/D改换芯片ICL7109,该芯片是双积分型的•,具有精度高,低噪声,低漂移,具有防尖峰扰乱实力,价格省钱,不过由因此双积分型•,故变换疾度较慢•,更改时辰为30ms,但在本系统中依旧充溢。ICL7109有14位输出,低12位为A/D更改值输出,OR为溢出符号输出,当更换值溢出时该位输出高电平;POL为极性输出,输入电压暗记大于零时该位输出高电平。14根数据线•,OR和POL分歧接P0.1~P0•.5•,如下图所示。CPU对A/D更换数据的读取通过依次选通LBEN和HBEN端口两步杀青。由于用3-8译码器SEL1和SEL2来选通LBEN和HBEN•。以是可以取得A/D转换数据的地址为:

  ICL7109的RUN/HOLD引脚悬空,表明芯片使命在连合改动状况,在该状态下,每隔8196个时钟周期(约30ms)完毕一次变换,并将调换值置于输出三态缓冲平平待读取。如许,在我们们必要读取数据时,直接通过选通LBEN或HBEN举办读取可从输出缓冲器中读出数据。

  为了提防系统受侵犯而使序次落空•,或许走进死循还而使编制死机••,应加入看门狗电叙•,以包管系统的信得过性。其电讲联贯如下图所示。图中当P1.7为低电普通,三极管Q2不导通,电流由“+5VR1C1地”对电容C1充电;当P1.7为高电浅显,三极管Q2胀和导通,

  电容C1资历•“Q2R3地••”放电。如此所有人通过在步伐运行中守时对P1.7脚举办置位和清零掌管,便能够连结Q2集电极为低电平。当步伐投入死循还,不能对P1.7口举行置位独揽,那么电途就会对电容继续充电••,使Q2集电极电平陆续上涨,当上涨到高电平电压时,单片机系统复位•,顺序重新发端运行,抵达看门狗功能。电阻R1与电容C1值应按照序次运行情形抉择,R1越大•,充电电流越小,电平飞腾岁月就越长,反之则反。R4和D1起电源唆使作用,R2和按钮构成手动复位电途。

  本文所涉及到的温度把持体系具有温度展现无误,反馈反应及时,控制及时及专揽成效佳,依旧是一个成熟的产品,在本质运用中收到了精良的效果•。

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  TPS51216 DDR2/3/3L/4 保留器电源处理预备同步降压操纵器,2A LDO,缓冲参考

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  音问优势和个性 单通谈、1024位辩解率 标称电阻:10 kΩ 50次可编程(50-TP)游标保全器 温度系数(变阻器模式):35 ppm/°C 单电源供电:2.7 V至5.5 V 双电源供电:±2.5 V至±2.75 V(换取或双极性职分模式) I2C兼容型接口 游标扶植和保全器回读 上电时从存在器改革 电阻容差生存在留存器中 薄型LFCSP、10引脚、3 mm x 3 mm x 0.8 mm封装 紧凑型MSOP、10引脚、3 mm × 4•.9 mm × 1.1 mm封装产品细则AD5175是一款单通说1024位数字变阻器,集业界逾越的可变电阻功用与非易失性存储器(NVM)于一体,选取紧凑型封装•。该器件既也许采用±2.5 V至±2.75 V的双电源供电,也可以选取2.7 V至5.5 V的单电源供电,并提供50次可编程(50-TP)生存器。AD5175的游标创修可经过I²C兼容型数字接口控制。将电阻值编程写入50-TP保全器之前,可举办无量次诊治。AD5175不须要任何外部电压源来赞助熔断熔丝•,并提供50次修长编程的机缘。在50-TP激活时间,一个深远熔断熔丝指令会将电阻地点固定(类似于将环氧树脂涂在呆板式调节器上)。AD5175提供3 mm × 3 mm 10引脚LFCSP和10引脚MSOP两种封装。保证职业温度限度为−40°C至+125°C扩张...

  音书优势和性情 单通谈、1024位差别率 标称电阻:10 kΩ 50次可编程(50-TP)游标保存器 温度系数(变阻器模式):35 ppm/°C 单电源供电:2.7 V至5.5 V 双电源供电:±2.5 V至±2.75 V(相易或双极性使命模式) SPI兼容型接口 游标创筑和存在器回读 上电时从保管器改良 电阻容差生存在存储器中 薄型LFCSP、10引脚、3 mm x 3 mm x 0.8 mm封装 紧凑型MSOP、10引脚、3 mm × 4•.9 mm × 1.1 mm封装产品详目AD5174是一款单通叙1024位数字变阻器,集业界逾越的可变电阻效力与非易失性留存器(NVM)于一体,选择紧凑型封装。 该器件既可以选拔±2.5 V至±2.75 V的双电源供电,也可以选择2•.7 V至5.5 V的单电源供电,并提供50次可编程(50-TP)存在器。AD5174的游标成立可阅历SPI数字接口独揽。将电阻值编程写入50-TP留存器之前,可实行无量次调节。AD5174不需要任何外部电压源来帮忙熔断熔丝•,并供给50次深远编程的时机。在50-TP激活期间,一个长久熔断熔丝指令会将电阻位置固定(彷佛于将环氧树脂涂在机械式调整器上)。AD5174提供3 mm × 3 mm 10引脚LFCSP和10引脚MSOP两种封装。包管使命温度节制为−40°C至+125°C放大产业..•.

  AD5292 单通说、1%端到端电阻容差(R-TOL)、1024位数字电位计,具有20次可编程生存器

  讯息优势和特质 单通谈、256/1024位分离率 标称电阻:20 kΩ、50 kΩ和100 kΩ 标称电阻容差舛讹(电阻效用模式):±1%(最大值) 20次可编程游标存储器 温度系数(变阻器模式):35 ppm/°C 分压器温度系数:5 ppm/°C +9V至+33V单电源供电 ±9V至±16.5V双电源供电 欲会意更多脾性,请参考数据手册 下载AD5292-EP (Rev 0)数据手册(pdf) 温度限度:−55°C至+125°C 受控开发基线 唯一封装/尝试厂 唯一制作厂 增强型产品更改通知 认证数据可应乞请供给 V62/12616 DSCC图纸号产品细则AD5292是一款单通讲1024位数字电位计1,集业界横跨的可变电阻效力与非易失性保管器(NVM)于一体,选拔紧凑型封装。这些器件不妨在宽电压局部内职分•,扶助±10.5 V至±16.5 V的双电源供电和+21 V至+33 V的单电源供电,同时包管端到端电阻容差舛误小于1%,并具有20次可编程(20-TP)保存器。业界超出的担保低电阻容差偏差本性不妨简化开环操纵,以及灵便校准与容差结婚使用•。AD5291和AD5292的游标建设可资历SPI数字接口控制。将电阻值编程写入20-TP保留器之前,可进行无量次诊疗。这些器件不需求任何外部电压源来扶持熔断熔丝,并供应20次修长编程的机...

  AD5291 单通说•、1%端到端电阻容差(R-Tol)、256位数字电位计,具有20次可编程保全器

  音讯优势和特性 单通说•、256/1024位阔别率 标称电阻:20 kΩ, 50 kΩ和 100 kΩ 校准的标称电阻容差:±1%(电阻成效模式) 20次可编程 温度系数(变阻器模式):35 ppm/°C 温度系数(分压器模式):5 ppm/°C +9 V 至 +33 V 单电源供电 ±9 V至±16.5 V 双电源供电 欲领略更多性情,请参考数据手册 产品详目AD5291/AD5292属于ADI公司的digiPOT+™ 电位计系列,差异是单通说256/1024位数字电位计1 ,集业界进步的可变电阻性能与非易失性留存器(NVM)于一体,拔取紧凑型封装。这些器件的任务电压局限很宽,既可以拔取±10.5 V至±16.5 V双电源供电,也能够选择+21 V至+33 V单电源供电•,同时端到端电阻容差差池小于1%•,并供应20次可编程(20-TP)存在器。业界胜过的担保低电阻容差弱点性子可能简化开环诈骗,以及工致校准与容差结婚愚弄。AD5291/AD5292的游标扶植可始末SPI数字接口专揽。将电阻值编程写入20-TP保全器之前,可举办无量次休养。这些器件不须要任何外部电压源来扶持熔断熔丝•,并供给20次修长编程的机会。在20-TP激活时期,一个很久熔断熔丝指令会将游标处所固定(似乎于将环氧树脂涂在呆板式诊疗器上)••。AD5291/AD52...

  音信优势和特点 四通说、64位诀别率 1 kΩ, 10 kΩ, 50 kΩ, 100 kΩ 非易失性保存器1 保全游标成立,并具有写护卫功能 上电兴盛至EEMEM成立•,革新期间范例值为300 µs EEMEM钞缮年光:540 µs(楷模值) 电阻容差保留在非易失性存储器中 EEMEM提供12个格外字节,可保存用户自定义讯休 I2C兼容型串行接口 直接读写RDAC2 和EEMEM寄放器 预定义线性递增/递减夂箢 预定义±6 dB阶跃变更号令 欲意会更多音讯,请参考数据手册产品细则AD5253/AD5254区别是64/256位、四通叙•、I2C®, 选择非易失性保管器的数字垄断电位计,可实行与呆板电位计•、医疗器和可变电阻犹如的电子医疗功能。AD5253/AD5254具有多成效编程能力•,或许供应多种劳动模式,网罗读写RDAC和EEMEM存放器、电阻的递增/递减、电阻以±6 dB的比例迁移、游标修树回读,并非常供给EEMEM用于保管用户自定义音问,如另外器件的留存器数据、搜刮表或体例分别音讯等。主控I2C专揽器可能将任何64/256步游标筑设写入RDAC寄存器,并将其保存在EEMEM中。保存设立之后,体例上电时这些修设将自愿发达至RDAC寄放器;也可以动态兴盛这些创筑。在同步或异步通...

  音讯优势和特性 四通讲、256位分袂率 1 kΩ, 10 kΩ, 50 kΩ•, 100 kΩ 非易失性保全器1生存游标扶植,并具有写呵护效用 上电兴盛为EEMEM创修••,改进岁月样板值为300 µs EEMEM誊录韶华:540 µs(典型值) 电阻容差留存在非易失性保全器中 EEMEM供应12个特地字节,可生存用户自定义信歇 I2C兼容型串行接口 直接读/写RDAC2 和EEMEM存放器 预定义线性递增/递减下令 预定义±6 dB阶跃转动夂箢 欲意会更多特性,请参考数据手册产品详情AD5253/AD5254分别是64/256位、四通道、I2C®, 选择非易失性存在器的数字把持电位计,可完毕与呆板电位计、诊疗器和可变电阻犹如的电子治疗效用。AD5253/AD5254具有多功能编程势力,可以供给多种职责模式,网罗读写RDAC和EEMEM寄放器、电阻的递增/递减•、电阻以±6 dB的比例转化•、游标成立回读,并异常提供EEMEM用于留存用户自定义讯歇,如此外器件的存储器数据、探索表或系统分别讯息等。主控I2C独霸器可以将任何64/256步游标设置写入RDAC存放器,并将其存储在EEMEM中。生存筑立之后,体系上电时这些成立将自愿发达至RDAC寄放器•;也不妨动静复兴这些设立。在同步或异步通.•.•.

  信息优势和性情 非易失性保存器可保存游标修设 电阻容差保全在非易失性保存器中 1 k Ω, 10 k Ω, 50 k Ω 100 k Ω I2C 兼容型串行接口 游标创立回读功用 线性递增/递减预定义指令 ±6 dB对数蹊径式递增/递减预定义指令 单电源:2.7 V至5.5 V 逻辑操纵电压••:3 V至5 V 上电复位至EEMEM设置,改革年华小于1 ms 非易失性保留器写维持 数据依旧刻期:100年(榜样值, TA = 55°C )产品细目AD5252是一款双通谈•、数字垄断可变电阻(VR),具有256位分辨率。它可告竣与电位计或可变电阻好似的电子调节性能。该器件经历微垄断器告竣多功效编程•,或许供给多种使命与调整模式。在直接编程模式下,可能从微独揽器直接加载RDAC寄存器的预创筑。在另一种浸要职分模式下,可以用当年存在在EEMEM存放器中的成立变革RDAC存放器•。当更换RDAC寄放器以竖立新的游标位时,可能资历执行EEMEM保管操纵,将该建立值保存在EEMEM中。一旦将成立保生活EEMEM寄存器之后,这些值就不妨自动传输至RDAC寄存器,以便在体系上电时创办游标位。这种掌握由里面预设选通脉冲使能;也不妨从外部拜望预设值。本原诊疗模式便是在游标位创办(RDAC)寄...

  音书优势和性子 非易失性存储器存在游标筑立 电阻容差保管在非易失性存在器中 1 k Ω, 10 k Ω, 50 k Ω 100 k Ω I2C 兼容型串行接口 游标扶植回读效用 线性递增/递减预定义指令 ±6 dB对数路径式递增/递减预定义指令 单电源:2.7 V至5.5 V 逻辑独揽电压:3 V至5 V 上电复位至EEMEM树立,刷新时刻小于1 ms 非易失性保存器写呵护 数据联贯实力:100年(规范值,TA = 55°C )产品细则AD5251是一款双通道、数字专揽可变电阻(VR),具有64位别离率。它可竣事与电位计或可变电阻肖似的电子调养功效。该器件体验微控制器完工多功效编程,也许供给多种任务与调节模式•。在直接编程模式下,能够从微主持器直接加载RDAC存放器的预创立。在另一种紧要任务模式下,或许用当年存在在EEMEM寄放器中的筑设变革RDAC存放器。当转换RDAC存放器以创立新的游标位时,不妨经过实践EEMEM保全驾御,将该设置值保生活EEMEM中•。一旦将创修保生计EEMEM寄放器之后••,这些值就也许主动传输至RDAC寄放器,以便在系统上电时创筑游标位。这种驾驭由里面预设选通脉冲使能;也不妨从外部探问预设值。基础医治模式就是在游标位创筑(RDAC)寄存器...

  音讯优势和特色 双通叙、1024位分别率 标称电阻:25 kΩ•、250 kΩ 标称电阻容差差错:±8%(最大值) 低温度系数:35 ppm/°C 2•.7 V至5 V单电源或±2.5 V双电源 SPI兼容型串行接口 非易失性留存器存在游标建设 加电刷新EEMEM创立 悠远性保全器写包庇 电阻容差堆集于EEMEM中 26字节格外非易失性保全器,用于保管用户定义音尘 1M编程周期 模范数据连结期•:100年 下载AD5235-EP数据手册 (pdf) 温度限制:-40℃至+125°C 受控修设基线 一个装配/测验厂 一个创造厂 巩固型产品改变陈诉 认证数据可应要求提供 V62/11605 DSCC图纸号产品详情AD5235是一款双通道非易失性生存器1、数控电位计2,占领1024阶跃辩解率,担保最大低电阻容差差池为±8%•。该器件可告竣与刻板电位计好像的电子诊疗成效,而且具有加强的别离率、固态靠得住性和英华的低温度系数性能•。体验SPI®-兼容串行接口,AD5235具有矫捷的编程能力,援救多达16种职责模式和诊疗模式•,个中包罗暂存编程、存在器保留和再起、递增/递减、±6 dB/阶跃对数抽头诊疗和游标创立回读,同时供应特殊的EEMEM1 ,用于存储用户定义音问,如其我们元件的存储器数据、探索表、体系象征信息等。...

  音尘优势和特色 1024位区别率 非易失性存在器保存游标扶植 上电时诈欺EEMEM创办改进 EEMEM发达时期•:140 µs(榜样值) 无缺匮乏性做事 端接电阻•:10 kΩ、50 kΩ、100 kΩ 长久留存器写爱惜 游标竖立回读成效 预定义线性递增/递减指令 预定义±6 dB/步对数蹊径式递增/递减指令 SPI®兼容型串行接口 3 V至5 V单电源或±2.5 V双电源供电产品细目AD5231是一款选拔非易失性保存器*的数字控制电位计**,供给1024阶辞别率。它可实现与古板电位计相似的电子疗养功效,而且具有增强的分辨率、固态靠得住性和遥控能力。该器件性能富庶•,可经历一个标准三线式串行接口举行编程,具有16种义务与疗养模式,包括便笺式编程•、生存器保全与发达、递增/递减、±6 dB/步对数道路式调节、游标竖立回读,并卓殊供给EEMEM用于保留用户自定义音书,如别的器件的生存器数据、搜求表或编制辨认音讯等。在便笺式编程模式下,也许将特定修立直接写入RDAC存放器,以创办端子W–A与端子W–B之间的电阻。此扶植不妨生存在EEMEM中•,并在编制上电时自愿传输至RDAC存放器•。EEMEM内容可能动态回复,或者经验外部PR选通脉冲赐与复兴;WP性能则可袒护EE...

  28是一个EEPROM串行128-Kb SPI器件,内里机关为16kx8位。它具有64字节页写缓冲区•,并帮手串行外设接口(SPI)公约。资历片选( CS )输入使能器件。其它,所需的总线暗记是时钟输入(SCK)•,数据输入(SI)和数据输出(SO)线。 HOLD 输入可用于停息与CAT25128筑造的任何串行通信•。该器件具有软件和硬件写偏护效用,包括限度和具体阵列偏护•。 片上ECC(纠错码)使该器件适用于高真实性欺骗。 合用于新产品(Rev. E)。 特性 20 MHz SPI兼容 1.8 V至5.5 V担任 硬件和软件卵翼 低功耗CMOS本领 SPI模式(0,0& 1,1) 资产温度限定 自按时写周期 64字节页面写缓冲区 块写保卫 - 回护1 / 4,1 / 2或全体EEPROM阵列 1,000•,000探究/韶华se周期 100年数据维系 8引脚SOIC,TSSOP和8焊盘TDFN•,UDFN封装 此制造无铅,无卤素/ BFR,符关RoHS序次 其他分辨具有悠长写珍爱的页面 应用 汽车编制 通讯体例 企图机编制 泯灭者编制 家当编制 电途图、引脚图和封装图...

  56是一个EEPROM串行256-Kb SPI器件,里面圈套为32kx8位。它具有64字节页写缓冲区,并接济串行外设接口(SPI)合同。阅历片选( CS )输入使能器件。其它,所需的总线旗帜是时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数据输出(SO)线。 HOLD 输入可用于停息与CAT25256兴办的任何串行通信•。该器件具有软件和硬件写维持效用,包括限制和详细阵列包庇。 片上ECC(纠错码)使该器件实用于高可靠性操纵。 适用于新产品(Rev. E)。 性情 20 MHz(5 V)SPI兼容 1.8 V至5.5 V电源电压局限 SPI模式(0•,0)& (1,1) 64字节页面写缓冲区 具有深远写卵翼的附加象征页(新产品) 自定时写周期 硬件和软件卵翼 100年数据保留期 1,000,000个步伐/擦除周期 低功耗CMOS技艺 块写维持 - 珍惜1 / 4,1 / 2或整个EEPROM阵列 产业温度限制 8引脚SOIC ,TSSOP和8焊盘UDFN封装 此器件无铅,无卤素/ BFR,以及符关RoHS圭臬 利用 汽车编制 Communica tions Systems 估计机编制 消费者体系 财产系统 .•..

  信休 CAT25040是一个4-kb SPI串行CMOS EEPROM器件,内部圈套为512x8位。安森美半导体前辈的CMOS身手大大降落了器件的功耗乞求。它具有16字节页写缓冲区,并协理串行外设接口(SPI)协议。该器件经验片选()启用。其它,所需的总线旌旗是时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数据输出(SO)线•。 输入可用于平息与CAT25040开发的任何串行通信•。该器件具有软件和硬件写包庇效力,搜集限制和全部阵列护卫。 20 MHz(5 V)SPI兼容 1.8 V至5.5 V电源电压限制 SPI模式(0,0和1,1) 16字节页面写入缓冲区 自定时写入周期 硬件和软件爱惜 块写守卫 - 珍惜1 / 4,1 / 2或详细EEPROM阵列 低功耗CMOS技艺 1•,000,000编程/擦除周期 100年数据保持 财产和伸张温度局限 PDIP,SOIC,TSSOP 8引脚和TDFN••,UDFN 8焊盘封装 这些器件无铅•,无卤素/ BFR,符合RoHS次第...

  60是一个EEPROM串行16-Kb SPI器件,里面罗网为2048x8位•。它们具有32字节页写缓冲区,并辅助串行外设接口(SPI)左券。经历片选( CS )输入使能器件。别的,所需的总线暗记是时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数据输出(SO)线。 HOLD 输入可用于停顿与CAT25160设备的任何串行通信。这些器件具有软件和硬件写保卫功用,征采部分和整体阵列掩护。 性情 10 MHz SPI兼容 1.8 V至5.5 V电源电压限定 SPI模式(0,0& 1,1) 32字节页面写入缓冲区 自定时写周期 硬件和软件爱戴 块写珍爱 - 扞卫1 / 4,1 / 2或全体EEPROM阵列 低功耗CMOS技艺 1,000,000个编程/擦除周期 100年纪据坚持 家产温度限制 符关RoHS标准的8引脚SOIC,T SSOP和8-pad UDFN软件包 利用 汽车系统 通讯体系 估计机体例 损耗者体系 财富体系 电途图、引脚图和封装图...

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